Меню раздела

Комплекс сканирующего электронного микроскопа (Carl Zeiss EVO-MA-10) предназначен для проведения фундаментальных и рутинных исследований в области общего материаловедения, оптических материалов, полупроводниковых исследований, исследований непроводящих и/или слабо проводящих образцов (керамики, полимеры, покрытия, искусственные материалы и метаматериалы) с пространственным разрешением в нанодиапазоне и с возможностью модификации поверхности образцов, покрытых электронно-чувствительными материалами с помощью электронного пучка.

Важные параметры для создания изображения

Параметры СЭМ, важнейшие для создания изображения и качества содержащейся в изображении информации, - это ускоряющее напряжение (EHT), рабочее расстояние (WD) зондовый ток (I Probe). Эти параметры должны настраиваться в зависимости от приложения и типа образца. С одной стороны,  эти параметры определяются свойствами образца и соответствующей постановкой задачи исследования. С другой стороны, они влияют на многие другие параметры СЭМ, например, разрешение, соотношение сигнал/шум, глубину резкости или минимальное увеличение (обзорное увеличение).

› Технические характеристики Carl Zeiss EVO-MA-10

Помимо исследования изготовленных заранее образцов с помощью микроскопа Zeiss EVO MA 10 и литографической приставки Raith ELPHY Quantum возможно получение структур на подложках с резистивным покрытием.

Процесс изготовления заключается в следующем:

  1. Подготовка подложки с электронным резистом.
    На этом этапе производится выбор типа и марки электронного резиста, определяются параметры процесса проявления и фиксации (если это требуется). Подбирается подложка из требуемого материала. На подложку наносится электронный резист одним из известных методов (центрифугирования, пульверизации, купания в растворе, полива). Нанесению предшествует обработка подложки, улучшающая сцепление слоя резиста с подложкой (или ухудшающая смачивание подложки травителем). Для этого могут быть использованы простая очистка (обезжиривание) поверхности.
  2. Загрузка образца в камеру и его позиционирование.
    Готовую подложку, покрытую электронным резистом, помещают в камеру электронного микроскопа, после чего из камеры производится откачка воздуха для создания вакуума. При достижении требуемого уровня вакуума производится позиционирование образца (задается начальная точка и угол наклона образца).
  3. Подготовка топологии требуемой структуры.
    Производится формирование изображение требуемой структуры либо в программной среде Quantum, либо экспорт заранее подготовленного изображения. Выбор размера поля (Write Field) записи и рабочего отрезка (Work Distance), соответствующих топологии структуры.
  4. Выбор параметров экспозиции.
    По измеренному току на образце определяются параметры экспозиции (доза и время) для четырех типовых элементов структуры (площадь, линия, кривая, точка).
  5. Оптимизация электронного пучка в слое электронного резиста.
    Оптимизация производится в несколько этапов: фокусировка в плоскости образца, настройка апертуры, коррекция астигматизма, создание контаминационных точек (измерение диаметра пучка).
  6. Проведение экспозиции.
    Создание последовательности экспозиций с помощью препроцессора. Отработка перемещений, отрисовка и сшивка отдельных полей экспозиции.
  7. Постэкспозиционная обработка образца (проявление и фиксаж).
    Экспонированный образец извлекается из камеры, производится проявка слоя электронного резиста и фиксаж. На этом этапе формируется рельеф изготавливаемой структуры
  8. Изучение характеристик полученной структуры.