Меню раздела

Ионно-плазменное химическое травление

› Автоматическая установка реактивно-ионного и плазмохимического травления "Caroline 15 PE"

Удаление облученного фоторезиста и оксидной пленки называется травлением. Этот процесс необходим, чтобы вскрыть окно для доступа к материалу подложки. Травление может быть химическим “мокрым” или плазменным “сухим”. Химическое жидкостное травление основано на растворении химическими веществами не защищенных фоторезистивной маской участков образца. Более эффективными являются “сухие” методы обработки, основанные на взаимо-действии газозарядной плазмы с поверхностным слоем материала. Кроме того, существует ионное, ионно-химическое и плазмохимическое травление. Результатом травления является полное удаление материала на участках, не защищенных фоторезистом.

 


Кремниевая пластина с “окном” в слое SiO2, образовавшимся в результате облучения и последующего травления:
1 - фоторезист, 2 - слой SiO2, 3 – полупроводниковая пластина.

Плазмохимическое травление (ионно-плазменное химическое) широко используется для изотропного травления широкого спектра материалов микроэлектроники или плазменной очистки с минимальным ионным повреждением поверхности. Технология активно применяется для вытравливания жертвенных слоев при производстве изделий микромеханики или для вскрытия микроэлектронных устройств в реверсивной инженерии.

ПЛАЗМОХИМИЧЕСКИЕ ТЕХНОЛОГИИ реализуемые на установках «Caroline»:

  • Скоростное травление монокристаллического кремния с хорошей анизотропией и селективностью.
  • Скоростное травление монокристаллического пьезокварца на большую глубину с хорошей анизотропией и селективностью. Достигнута глубина травления 250 мкм через маску толщиной 6 мкм.
  • Положительный результат при травлении ПЗС матриц без привнесения заряда.
  • Субмикронное скоростное травление диэлектриков (SiO2, Si3N4) со скоростями порядка 1 мкм/мин, включая пьезокварцевые подложки на глубину более 100 мкм.
  • Травление металлов, в том числе и чисто ионное травление золота, меди и других металлов, не образующих летучих соединений. Травление производилось через резистивные и металлические маски (скорость травления по золоту более 0,2 мкм/мин.)
  • Травление арсенида и нитрида галлия в производстве полупроводниковых лазеров и светодиодов, в том числе областей под омические контакты.
  • Травление полиимида с высокими скоростями, снятие резиста.
  • Обработка в плазме водорода и в атомарном водороде.
  • Осаждение диэлектриков с хорошим качеством и равномерностью (SiO2, Si3N4), из моносилана с кислородом и азотом при «комнатных» температурах подложки.