Меню раздела

Электронно-лучевые технологии записи ГОЭ, ДОЭ (размерами не более 10 мм х 10 мм)

› Сканирующий электронный микроскоп Carl Zeiss EVO-MA-10 с литографической приставкой Raith ELPHY Quantum

Электронно-лучевая литография использует облучение резиста (электронорезиста) потоком электронов. В сканирующей электронно-лучевой литографии шаблон отсутствует, а экспонирование осуществляется перемещением по поверхности пластины остросфокусированного электронного луча, включающегося и выключающегося по заданной программе. Установка содержит системы формирования и отклонения луча, генерирования рисунка и управления с помощью ЭВМ. Значительно большое разрешение может быть получено при использовании методов электронно-лучевой литографии.

Если для оптических проекционных систем пределом разрешающей пособности являются размеры 0.5-1 мкм, то для электронно-лучевых установок, разработанных в последние годы рядом зарубежных фирм, эти размеры составляют 0.06 - 1 мкм.

Существуют две основные возможности использования электронных пучков для облучения поверхности пластины с целью нанесения рисунка. Это:

  • одновременное экспонирование всего изображения целиком;
  • последовательное экспонирование (сканирование) отдельных участков рисунка.

Проекционные системы, как правило, имеют высокую производительность и более просты, чем сканирующие системы. Носителем информации об изображении является маска (шаблон). Изображение с шаблона передается на пластину лучом электронов.

Сканирующие системы управляются вычислительной машиной, которая задает программу перемещения сфокусированного пучка электронов для нанесения рисунка, исправляет эффекты дисторсии и расширения пучка и определяет положение пластины.  Информация об изображении хранится в памяти ЭВМ.

Непосредственное нанесение рисунка с помощью ЭВМ позволяет обойтись без шаблона. Поэтому электронно-лучевые сканирующие системы могут быть использованы как для изготовления шаблонов, так и для непосредственной прорисовки на пластине. Эти установки имеют высокое пространственное расширение и точность совмещения, приближающиеся к 0,1 мкм.